11/11/2025
Galio nitrido monolitinė integraciją į silicį – žingsnis naujos kartos fotonikos ir elektronikos link
Vilniaus universiteto Fotonikos ir nanotechnologijų instituto tyrėjai, bendradarbiaudami su Kauno technologijos universiteto Medžiagotyros institutu, atliko svarbius tyrimus puslaidininkių technologijos srityje. Tyrimo metu buvo parodyta galio nitrido epitaksijos galimybė ant silicio, taikant skandžio oksido (Sc₂O₃) tarpsluoksnį.
Silicis (Si) ir galio nitridas (GaN) yra du pagrindiniai puslaidininkiai, kurie dažniausiai yra sutinkami šiuolaikinėje elektronikoje. Tyrimo metu gauti pasiekimai gali atverti kelią didelės galios ir aukšto dažnio GaN prietaisų kombinavimui su mažos galios silicio elektronika viename luste. Tokia technologija leistų išvengti sujungimų laidais, kurie sukelia elektrinius nuostolius ir triukšmus.
Atliktame darbe buvo parodyta, kad taikant epitaksijos iš metalorganikos garų fazės (MOVPE) metodą galima užauginti vienos kristalinės orientacijos, be įtrūkimų GaN sluoksnius ant silicio. Tyrimo metu tam tikrame auginimo parametrų intervale buvo identifikuotas kubinės GaN kristalinės struktūros susidarymas. Tokia GaN struktūra turi pranašumų prieš heksagoninę struktūrą, nes pasižymi didesniu krūvininkų judrumu ir neturi poliarizacijos sukurto vidinio elektrinio lauko. Šios kristalo savybės, galėtų pagerinti elektroninių ir fotoninių prietaisų efektyvumą.
🧪 Tyrimas atliktas įgyvendinant Lietuvos mokslo tarybos remiamą projektą „III grupės nitridų epitaksija per grafeną ant silicio su joninio ryšio metalo oksidais kieto kūno fotonikai“.
📘 Publikuota žurnale Scientific Reports: Grinys, T., Kadys, A., Malinauskas, T., Lapukas, P., Podlipskas, Ž., Gudaitis, R., & Meškinis, Š. (2025). Scientific Reports, 15, 27316. DOI: 10.1038/s41598-025-12904-9
👉 https://doi.org/10.1038/s41598-025-12904-9
05/09/2025