28/07/2026
Projekt SiC-PM byl oficiálně zahájen: Vyvíjíme novou generaci fotonásobičů na bázi karbidu křemíku
S potěšením oznamujeme zahájení výzkumně-vývojového projektu SiC-PM, jehož cílem je vyvinout novou generaci polovodičových fotonásobičů z materiálu 4H-SiC, které nabídnou mimořádnou radiační odolnost, stabilní provoz při vysokých teplotách a extrémně nízký šum.
Projekt pokrývá celý inovační řetězec – od návrhu a výroby součástek, přes charakterizaci jejich elektrických a detekčních vlastností, testování radiační odolnosti, až po pokročilé zapouzdření umožňující jejich nasazení v reálných aplikacích.
Současně bude v rámci projektu vyvinut výrobní proces P-typu 4H-SiC substrátu a epitaxní vrstvy, jehož výsledkem bude výroba a komplexní charakterizace N-in-P 4H-SiC komponent.
Technologie vyvíjené v projektu SiC-PM mají potenciál otevřít nové možnosti detekce v oblastech:
• fyziky vysokých energií
• kosmických aplikací
• lékařských technologií
• jaderné energetiky a energetického průmyslu
Hlavní cíle projektu:
• návrh a výroba 4H-SiC fotonásobičů
• charakterizace elektrických a detekčních vlastností
• testování radiační odolnosti
• zapouzdření součástek a příprava pro průmyslové využití
• vývoj výrobní technologie pro 4H-SiC substrát a epitaxní vrstvu typu P
• výroba a komplexní charakterizace N-in-P součástek z materiálu 4H-SiC
Koordinátorem projektu je společnost onsemi, která na jeho řešení spolupracuje se společností Argotech a.s., FZU a Jaderka.
Těšíme se, že se s vámi budeme průběžně dělit o dosažené výsledky i další milníky tohoto ambiciózního projektu.
